Презентация - Дырка. Электрон. Р-n-переход. N-типа. Р-типа

На весь экран

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

дырка
электрон
р-n-переход
n-типа
р-типа
При таком подключении через р-n-переход (границу) вдоль линии напряженности пойдут дырки из р-типа (они в нем основные носители) и электроны из n-типа (они в нем основные носители). Через р-n-переход будет проходить много носителей, ток будет большим. Это называется прямое подключение.

Слайд 2

дырка
электрон
р-n-переход
n-типа
р-типа
При таком подключении через р-n-переход (границу) вдоль линии напряженности пойдут дырки из n-типа влево (они в нем неосновные носители) и электроны из р-типа вправо (они в нем неосновные носители). Через р-n-переход будет проходить мало носителей (ток создается неосновными носителями), ток будет маленьким.

Слайд 3

дырка
электрон
р-n-переход
р-n-переход
р-типа
р-типа
n-типа
Если таким образом подключить только левый р-n-переход, то ток через него будет создаваться основными носителями (дырки из р-типа пойдут вправо, а электроны из n-типа пойдут влево). Ток через левый р-n-переход будет большим.

Слайд 4

дырка
электрон
р-n-переход
р-n-переход
р-типа
р-типа
n-типа
Если таким образом подключить только правый р-n-переход, то ток через него будет создаваться неосновными носителями (дырки из n-типа пойдут вправо, а электроны из р-типа пойдут влево). Ток через правый р-n-переход будет маленьким.

Слайд 5

дырка
электрон
р-n-переход
р-n-переход
р-типа
р-типа
n-типа
Если таким образом подключить и левый, и правый правый р-n-переходы, то ток через левый р-n-переход будет создаваться основными носителями (дырки вправо, электроны влево). И тогда дырок появится много в n-типа (они пришли из левого р-типа). Возникшее большое количество дырок в n-типа пойдут и через правый р-n-переход (справа минус, он тянет к себе дырки), и вниз к минусу. Чтобы больше дырок шло через правый р-n-переход, а не вниз, полупроводник n-типа делают узким. И только небольшая часть дырок пойдет вниз.

Слайд 6

дырка
электрон
р-n-переход
р-n-переход
р-типа эмиттер
n-типа база
р-типа коллектор
Iэб
R
Iбк
Регулируемый источник тока
Источник тока
Меняя ток в цепи эмиттер-база Iэб, мы регулируем поступление дырок в n-типа, тем самым мы меняем ток в цепи база-коллекторIбк. А если поставить большой резистор R (несколько тысяч Ом), а напряжение на нем вычисляется по закону Ома U= Iбк *R , то напряжение на нем будет меняться в соответствии с изменениями тока. Таким образом, меняя ток в цепи эмиттер-база, мы будем менять большое напряжение на резисторе R. Такой процесс называют усилением напряжения.